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100 pezzi TO 247 foglio di ceramica allumina 3,7 mm foro raffreddamento isolante per transistor MOS IGBT, 17 x 22 1 ad alta durezza materiale alto punto fusione
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Materiale: foglio in ceramica di allumina composto da AL, O e ZrO2, cotto a oltre 1000 °C. Caratteristiche: alto punto di fusione, elevata durezza e buona resistenza all'usura. Conducibilità termica 28 W/m·K. Isolamento: isolamento elettrico 15 kV/mm, per uso sicuro. Durezza seconda solo al diamante. Applicazioni: si usa in apparecchiature ad alta potenza, tubi ICMOS, isolamento chip IGBT e comunicazione ad alta frequenza. Industria: si impiega in estrazione carbone, trasporto, macinazione, rimozione polvere. Per acciaio, fusione, cemento e porti.
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Materiale: foglio in ceramica di allumina composto da AL, O e ZrO2, cotto a oltre 1000 °C. Caratteristiche: alto punto di fusione, elevata durezza e buona resistenza all'usura. Conducibilità termica 28 W/m·K. Isolamento: isolamento elettrico 15 kV/mm, per uso sicuro. Durezza seconda solo al diamante. Applicazioni: si usa in apparecchiature ad alta potenza, tubi ICMOS, isolamento chip IGBT e comunicazione ad alta frequenza. Industria: si impiega in estrazione carbone, trasporto, macinazione, rimozione polvere. Per acciaio, fusione, cemento e porti.
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