AFOX DDR4 8G 2133 UDIMM memory module 8 GB MHz

Layout della memoria (moduli x dimensione): 1 x 8 GB Larghezza di banda della memoria (max): 17 GB/s Tensione di alimentazione di programmazione (VPP): 2,5 V Tipo di memoria bufferizzata: Non registrata (non bufferizzata) Tensione della memoria: 1,2 V Conformità RoHS: Sì ECC: No Tempo di ciclo di riga: 46,5 ns Chipset compatibili: Intel® H110 Canali di memoria: Doppio Velocità di clock della memoria: 2133 MHz Standard JEDEC: Sì Tempo di ciclo di refresh di riga: 260 ns Tempo attivo di riga: 33 ns Memoria interna: 8 GB Latenza CAS: 15 Temperatura di esercizio (TT): 0 - 85 °C Temperatura di stoccaggio (TT): -55 - 100 °C Larghezza: 133 mm Altezza:31 mm Peso:18 g Peso della confezione:36 g Larghezza della confezione:88 mm Altezza della confezione:168 mm Organizzazione dei chip:8 chip DRAM FBGA Avvertenze:Non aprire l'alloggiamento del modulo di memoria.,Smaltire in conformità con le normative locali per i rifiuti elettronici.,Proteggere da temperature estreme.