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Modello : IRF540N; Id corrente di scarico continua : 33 A; Tensione sorgente di scarico Vds : 100 V; Polarità del transistor : Canale N. Materiale durevole : Il transistor è realizzato in materiale semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata. Tecnologia di processo avanzata : Il transistor è un tipo di componente elettronico di precisione con elevata resistenza di ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e un'ampia gamma dinamica. Applicazione : Il tubo MOSFET è una sorta di elemento di controllo della tensione. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori a commutazione, amplificatori audio, controllo di motori CC e applicazioni con potenza di commutazione variabile. Multifunzione : Raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato nei circuiti integrati su larga scala e su larga scala.