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Parametri del prodotto : Pacchetto TO-220AB, Consumo energetico (massimo) : 88 W (Tc), Temperatura di funzionamento : Da -55 °C a 175 °C (TJ), Capacità di ingresso (Ciss) (massima) Vds 860 pF a 25 V, Tensione drain-source (Vdss) : 100 V, Corrente di drain continua (Id) a 25 °C : 12 A (Tc), Carica di gate (Qg) (massima) a Vgs, 38 nC a 10 V. Applicabilità : Questo transistor a effetto di campo MOSFET è adatto per circuiti analogici e digitali, ecc. Facile da installare : Sostituzione diretta senza regolazione, perfetta compatibilità e alta affidabilità. Materiale del prodotto : Questo prodotto è appositamente progettato e realizzato in materiale metallico, con elevata durata e non facile da danneggiare. Elenco prodotti : Il prodotto include un totale di 20 transistor, in grado di soddisfare pienamente le esigenze di utilizzo quotidiano e di sostituzione.