KINGSTON 4GB DDR4 2666MHZ SODIMM
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Descrizione
Kaufland
Memoria interna: 4 GBConnessione: 260 pin SO-DIMMTipo: DDR4Velocità: 2666 MHzTensione: 1,2 VLatenza: CL17Formato: 1 x 4 GB. Informazioni in breve: Kingston - DDR4 - 4 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1,2 V - unbuffered - non-ECC Gruppo RAM Produttore Kingston Art. N. KCP426SS6/4 Modello EAN/UPC 0740617281880 Descrizione del prodotto: Kingston - DDR4 - 4 GB - SO DIMM 260-PIN Tipo di RAM Capacità di memoria 4 GB Tipo di memoria DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Tipo di espansione Generica Controllo integrità dei dati Non-ECC Velocità 2666 MHz (PC4-21300) Latenza CL17 Caratteristiche prestazionali Single Rank, unbuffered Tensione 1.2 V Placcatura in metallo Oro Dettagli esplicativi Generalità Capacità 4 GB Tipo di espansione Generico Tipo di memoria DRAM Tecnologia DDR4 SDRAM Fattore di forma SO DIMM 260-PIN Velocità 2666 MHz (PC4-21300) Latenza CL17 Controllo integrità dei dati Non-ECC Caratteristiche Rango singolo, non bufferizzato Configurazione modulo 512 x 64 Organizzazione chip X8 Tensione 1,2 V Placcatura in
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Memoria interna: 4 GBConnessione: 260 pin SO-DIMMTipo: DDR4Velocità: 2666 MHzTensione: 1,2 VLatenza: CL17Formato: 1 x 4 GB. Informazioni in breve: Kingston - DDR4 - 4 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1,2 V - unbuffered - non-ECC Gruppo RAM Produttore Kingston Art. N. KCP426SS6/4 Modello EAN/UPC 0740617281880 Descrizione del prodotto: Kingston - DDR4 - 4 GB - SO DIMM 260-PIN Tipo di RAM Capacità di memoria 4 GB Tipo di memoria DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Tipo di espansione Generica Controllo integrità dei dati Non-ECC Velocità 2666 MHz (PC4-21300) Latenza CL17 Caratteristiche prestazionali Single Rank, unbuffered Tensione 1.2 V Placcatura in metallo Oro Dettagli esplicativi Generalità Capacità 4 GB Tipo di espansione Generico Tipo di memoria DRAM Tecnologia DDR4 SDRAM Fattore di forma SO DIMM 260-PIN Velocità 2666 MHz (PC4-21300) Latenza CL17 Controllo integrità dei dati Non-ECC Caratteristiche Rango singolo, non bufferizzato Configurazione modulo 512 x 64 Organizzazione chip X8 Tensione 1,2 V Placcatura in
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