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In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità7680 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)Caratteristiche112-layer 3D BiCS FLASH, funzionamento ininterrotto (24x7), doppia porta, Open Compute Project 2.0, protezione contro le interruzioni di corrente (SAS), Sanitize Instant Erase (SIE), protezione dei dati end-to-end, NVMe 2.0Larghezza69.85 mmProfondità100.45 mmAltezza15 mmPeso130 gPrestazioniRegistrazioni del disco al giorno1Classe di unitàEnterprise, lettura intensivaVelocità di trasferimento dati interna14000 MBps (lettura)/ 6750 MBps (scrittura)4 KB di lettura casuale2450000 IOPS4 KB scrittura casuale300000 IOPSAffidabilitàMTBF2.500.000 oreFunzionamento continuo 24/7SìEspansione e connettivitàInterfacce1 x PCI Express 5.0 (NVMe)Pannello di controllo compatibile2.5" (6,4 cm)AlimentazioneConsumo energetico25 Watt (attivo (tipico)) 5 Watt (inattivo)Servizio e supportoCondizioni ambientaliTemperatura minima di esercizio0 °CTemper
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