PENGLIN 100 pezzi AO3401 P canale modalità di amplificazione effetto campo SMD A19T MOSFET Transistor, SOT 23.
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VDS(V): 30 V, ID: 4,2 A RDS (ON), 50 mΩ Design a celle ad alta densità per una resistenza estremamente bassa Bassa carica del cancello NOTA: un'esposizione prolungata ai valori massimi assoluti può compromettere l'affidabilità del componente. Utilizzato in applicazioni ad alta frequenza come amplificazione RF, elaborazione del segnale e applicazioni di gestione dell'energia.
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VDS(V): 30 V, ID: 4,2 A RDS (ON), 50 mΩ Design a celle ad alta densità per una resistenza estremamente bassa Bassa carica del cancello NOTA: un'esposizione prolungata ai valori massimi assoluti può compromettere l'affidabilità del componente. Utilizzato in applicazioni ad alta frequenza come amplificazione RF, elaborazione del segnale e applicazioni di gestione dell'energia.
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