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In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità15.36 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES-XTS a 256 bitTipo di memoria flash NANDMulti-Level Cell (MLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)Byte per settore512CaratteristicheSenza alogeni, supporto TRIM, livellamento dell'usura dinamico e statico, protezione avanzata dei dati in caso di interruzione di corrente, protezione dei dati end-to-end, tecnologia V-NAND, controller Samsung Elpis, supporto NGUID, S.M.A.R.T.Larghezza69.85 mmProfondità100.2 mmAltezza7 mmPeso90 gPrestazioniRegistrazioni del disco al giorno1Velocità di trasferimento dati interna5200 MBps (lettura)/ 4000 MBps (scrittura)4 KB lettura casuale850000 IOPS4 KB scrittura casuale160000 IOPSTempo medio di attesa0.02 msAffidabilitàMTBF2.000.000 oreErrori di dati non correggibili1 ogni 10^17Espansione e connettivitàInterfaccePCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe)Pannello di controllo compatibile2.5" (6,4 cm)AlimentazioneConsumo energetico11 watt (lettura) 13.5 Watt (s
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