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Dati tecnici:Design del modulo allo stato solido (SSM)Fattore di forma M.2 2280Interfaccia M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)Lettura 6900MB/sScrittura 5000MB/s SLC-CachedIOPS 4K lettura/scrittura 800k/800kModuli di memoria 3D-NAND TLC, Samsung, 128 strati (V-NAND v6)TBW 300TBPrevisione di affidabilità 1,5 milioni di ore (MTBF)Controller Samsung Elpis (S4LV003), 8 canaliCache 512 MB (LPDDR4), cache SLCProtocollo NVMe 1.3cConsumo energetico non specificato (massimo), non specificato (funzionamento), 0,035W (inattivo), 0,005W (modalità sleep)Dimensioni 80x22x2,38 mmCaratteristiche speciali L1.2 standby a basso consumoDotazione di fornitura:disco rigido SSD M.2 interno (in confezione bulk) GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione512 GBFattore di formaM.2InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)PrestazioniVelocità di trasmissione dati interna6900 MBps (lettura)/ 5000 MBps (scrittura)4 KB in lettura casuale800000 IOPS4 KB di scrittura casuale800000 IOPSEspansione e connettivitàInterfaccePCI Express 4.0
Specifiche del prodotto
| Marchio | Samsung |
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Storia dei Prezzi
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