SILICON POWER Memoria DDR4 4GB 2666MHZ CL19 SO-DIMM 1.2V

GeneraleCapacità4 GBTipo di estensioneGenericoMemoriaTipo di memoriaModulo di memoria DRAMTecnologiaDDR4 SDRAMFattore di formaSO DIMM 260-PINVelocità di memoria2666 MHz (PC4-21300)Tempi di latenzaCL19Controllo dell'integrità dei datiNon ECCCaratteristiche specialiSenza bufferingTensione1.2 VVarieEtichettaturaFCC, RoHS, WEEE, Punto verde, JEDEC del produttoreAssistenza e supporto limitata a vita (in Germania si applicano le disposizioni di legge in materia di ) Progettata per aiutare il sistema a funzionare in modo più rapido e fluido, questa serie di SODIMM DDR4 offre la velocità di memoria più elevata del settore, pari a 3200 MT / s. Inoltre, la tecnologia DDR4 è fino a due volte più veloce del suo predecessore, la DDR3, e fornisce una maggiore larghezza di banda e una maggiore efficienza energetica. Un semplice aggiornamento consente un caricamento più rapido delle applicazioni, una maggiore reattività e la possibilità di gestire facilmente programmi ad alta intensità di dati. Specifiche:Tipo di memoria: SODIMM DDR4Capacità

MEMORIA SILICON POWER DDR4 4GB 2666MHZ CL19 SO-DIMM 1.2V