ECSiNG 10 transistor MOSFET a canale N IRF540N, classificato ESD, TO 220, 33 A, 100 V, 3 pin, internazionale, per l'industria domestica e il fai da te
Descrizione
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Modello: IRF540N; scarico continuo Corrente Id: 33A; Drain Source Voltage Vds: 100V; Transistor Polarità: N-Channel. Materiale durevole: il transistor è realizzato in materiale semiconduttore di ossido metallico, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata. Tecnologia di processo avanzata: Il transistor è una sorta di componente elettronico di precisione con elevata resistenza di ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e un'ampia gamma dinamica. Applicazione: Il tubo MOSFET è una sorta di elemento di controllo della tensione. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori a commutazione, amplificatore audio, controllo motore CC e applicazioni di potenza a commutazione variabile. Multifunzione: raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato in circuiti integrati su larga scala e su larga scala.
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Modello: IRF540N; scarico continuo Corrente Id: 33A; Drain Source Voltage Vds: 100V; Transistor Polarità: N-Channel. Materiale durevole: il transistor è realizzato in materiale semiconduttore di ossido metallico, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata. Tecnologia di processo avanzata: Il transistor è una sorta di componente elettronico di precisione con elevata resistenza di ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e un'ampia gamma dinamica. Applicazione: Il tubo MOSFET è una sorta di elemento di controllo della tensione. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori a commutazione, amplificatore audio, controllo motore CC e applicazioni di potenza a commutazione variabile. Multifunzione: raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato in circuiti integrati su larga scala e su larga scala.
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