EMSea 100x N Channel 2N7000 MOSFET Transistor ESD nominale TO 92 0.3A 60V 3Pin Raddrizzatore Internazionale Potenza per l'industria domestica e fai da te

Modello: 2N7000; Corrente di scarico continua: 0,3A; Tensione Vds Max: 60V; Polarità transistor: N-Channel. Materiale durevole: il transistor è realizzato in materiale semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata. Tecnologia di processo avanzata: il transistor è una sorta di componente elettronico di precisione con elevata resistenza in ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e una vasta gamma dinamica. Applicazione: il tubo MOSFET è una sorta di elemento di controllo della tensione. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori in modalità commutata, amplificatore audio, controllo motore DC e applicazioni di alimentazione a commutazione variabile. Multifunzione: raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato in circuiti integrati su larga scala e molto grande.