PENGLIN 100 transistor AO3400 N canale effetto campo con modalità di arricchimento, A09T MOSFET 30V, SOT-23
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Tensione: 30 V, corrente: 5,7 A, temperatura minima -55 °C, temperatura massima 150 °C ± 30 °C. Design a celle ad alta densità per una resistenza estremamente bassa Bassa carica del cancello NOTA: un'esposizione prolungata ai valori massimi assoluti può compromettere l'affidabilità del componente. Utilizzato in applicazioni ad alta frequenza come amplificazione RF, elaborazione del segnale e applicazioni di gestione dell'energia.
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Tensione: 30 V, corrente: 5,7 A, temperatura minima -55 °C, temperatura massima 150 °C ± 30 °C. Design a celle ad alta densità per una resistenza estremamente bassa Bassa carica del cancello NOTA: un'esposizione prolungata ai valori massimi assoluti può compromettere l'affidabilità del componente. Utilizzato in applicazioni ad alta frequenza come amplificazione RF, elaborazione del segnale e applicazioni di gestione dell'energia.
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